SK海力士目前正积极评估台积电CoWoS-S、虑将M裸这或将为HBM生态链的部分多元化发展打开新窗口。SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片（Base Die）的片交生产交由英特尔代工，还能有效分散地缘与产能风险，减少积电
若英特尔成功加入供应链，对台
在HBM3E及此前世代，依赖由英目前量产中的海力HBM4基础裸片采用台积电12纳米级工艺。已成为其供应链战略的士考生产必然选择。因此，虑将M裸以期在异构集成与系统级性能优化上获得更多技术选择与议价空间。部分公司已转由台积电代工，
业内分析指出，已高达SK海力士自身10nm级第五代工艺所产核心芯片的3至4倍。随着基础裸片对逻辑功能与性能要求的持续提升，在HBM4方案中，建立多供应商体系、SK海力士一直采用内部产线生产基底芯片。然而，关于将 HBM4E 基础裸片的生产委托给英特尔一事，这一成本负担将进一步加重。SK海力士短期内难以将代工成本上涨直接转嫁至终端售价。占比极高，由于HBM产品多采用长期供货合同（LTA）模式，减少对单一代工厂的依赖。增强价格谈判能力，
对此，该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始逐步推进。台积电代工的基础裸片价格，CoWoS-L及英特尔EMIB等多种封装方案，预计到HBM4E阶段，
8月31日消息，
与此同时，自HBM4起，”